shallow trench isolation中文
淺槽隔離,即shallowtrenchisolation,簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝,通過利用氮化矽掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕矽後形成槽,並 ...,,淺槽隔離,即shallowtrenchisolation,簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝,通過利用氮化硅掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕硅後形成...
CMOS淺溝槽隔離氧化層之高度差對元件特性之研究
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